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解决方案 Solutions
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浏览次数: 44
发布时间: 2018 - 08 - 07
随着LCD电视的屏幕变得更大更亮,它们需要更多的工作电压和更大的工作电流,对更稳定和更可靠电路保护技术的需求也更加迫切。有很多种电路保护器件都可以被用来帮助保护LCD显示屏免受过高电流或过高电压瞬变引起的损坏。过流保护可采取保险丝或可复位PPTC(聚合物正温度系数)器件。选择哪种方案,取决于LCD的设计,该产品可能接触到的危险类别以及相关的安全要求偶。PPTC器件一般适用于在启动时会经受大浪涌电流的电路。PPTC器件可经受浪涌电流的冲击,并省去了更换被烧毁保险丝的麻烦。保险丝适合于不要求自恢复能力的电路设计,或仅在系统发生错误的情况下才引起过流冲击的电路。当软启动电路被用于限制浪涌电流时,保险丝也是一种实用的解决方法。为提高设备的安全性和可靠性,可将多种过压与过流保护器件如本文所讨论的那样协同使用,这里过压保护器件包括:金属氧化物压敏电阻(MOV)、多层变阻器(MLV)和静电释放(ESD)浪涌保护器件。LED背光保护LED背光可增强视觉体验、提供更灵活的背光架构,并可实现比传统冷阴极荧光灯(CCFL)技术更清薄的显示器设计。LED背光的其它好处还包括:更高的效率、更低的功耗、更长的寿命、更好的耐用性以及面向较高清晰度的更强对比度。LED需要精确的功率和热管理系统,这是因为提供给LED的电能大部分转换为热而不是光。如果没有合适的热管理措施,这些热量将对LED的寿命和色彩输出带来负面影响。从电力线耦合进来的瞬变电压和浪涌电压也会降低LED寿命,许LED驱动器很容易因不正确的直流电压水平和极性造成损坏,而LED驱动器的输出则可能会因短路而损坏。大多数针对LCD电视应用的LED驱动器都包含内嵌的安全特性,如热关断以及LED开路和短路检测。不过,可能需要额外的过流保护器件来帮助保护IC和其它敏感电子元件。PPTC器件也可被用于防止热失控,如果LCD监视器的冷却通道被阻塞,就可能发生热...
浏览次数: 40
发布时间: 2018 - 08 - 07
LED显示屏虽然在众多显示设备中具备一些突出的优势,但也是要基于优异的产品质量,如何把控LED显示屏的质量是重中之重。要生产出质量好的LED显示屏,需做好以下8大技术控制: 1、静电防护 防静电LED显电子示屏装配工厂应有良好的防静电措施。专用防静电地、防静电地板、防静电烙铁、防静电台垫、防静电环、防静电衣、湿度控制、设备接地(尤其切脚机)等都是基本要求,并且要用静电仪定期检测。 2、驱动电路设计 驱动电路设计LED显示屏模块上的驱动电路板驱动IC的排布亦会影响到LED的亮度。由于驱动IC输出电流在PCB板上传输距离过远,会使得传输路径压降过大,影响LED的正常工作电压导致其亮度降低。我们常会发现LED显示屏模块四周的LED亮度比中间低一些,就是这个原因。故要保证显示屏亮度的一致性,就要设计好驱动电路分布图。 3、电流大小合理控制 设计电流值LED的标称电流为20mA,一般建议其最大使用电流为不超过标称值的80%,尤其对于点间距很小的显示屏,由于散热条件不佳,还应降低电流值。根据经验,由于红、绿、蓝LED衰减速度的不一致性,有针对性地降低蓝、绿LED的电流值,以保持显示屏长时间使用后白平衡的一致性。 4、插件灯位置设计 混灯同一种颜色不同亮度档的LED需要混灯,或者按照离散规律设计的插灯图进行插灯,以保证整屏每种颜色亮度的一致性。此工序如果出现问题,会出现显示屏局部亮度不一致的现象,直接影响LED显示屏的显示效果。 5、插件工艺保障 控制好灯的垂直度对于直插式LED来说,过炉时要有足够的工艺技术保证LED垂直于PCB板。任何的偏差都会影响已经设置好的LED亮度一致性,出现亮度不一致的色块。 6、焊接温度把控 过波峰焊温度及时间须严格控制好波锋焊的温度及过炉时间,建议为:预热温度100℃±5℃,最高不超过120℃,且预热温度上升要求平稳,焊接温度为245℃±...
浏览次数: 70
发布时间: 2018 - 08 - 07
浏览次数: 54
发布时间: 2018 - 08 - 07
热点新闻 HOT NEWS
Hot Products / 推荐产品
2018 - 07 - 26
具体规格参数:1.导光板显示类型:侧面进光正面显示2。导光板材质:PMMA(可由客户选择定制,PC,PS等透明材料)3.灯源:进光边设计,可用0805,0603尺寸的灯珠,双边进光4.显示模式:反射型5.光线波段:任意0805,0603等灯珠,光波由所使用灯珠确定6.均匀度:90%以上7.可视范围:140*110 MM8.电源电压:视所用灯珠具体参数而定9.电源电流:视所用灯珠具体参数而定10.工...
2018 - 07 - 25
具体规格参数:1.背光源显示类型:侧面显示2.背光板材质:PS(可由客户选择定制,PC,PMMA等透明材料)3.灯源:14只高亮度LED白灯,双边进光4.显示模式:反射型5.光线波段:E9(正白光)6.均匀度:90%以上7.可视范围:126*81MM8.电源电压:2.9V-3.1V9.电源电流:150-280mA10.工作温度:-20℃----80℃11.连接方式:电子线,电子元件脚注:所有背光均...
2018 - 08 - 15
具体规格参数:1.背光源显示类型:侧面显示2.背光板材质:PS(可由客户选择定制,PC,PMMA等透明材料)3.灯源:8只高亮度LED绿灯,双边各四颗灯进光4.显示模式:反射型5.光线波段:绿色518-5206.均匀度:90%以上7.可视范围: 140*119MM8.电源电压:2.9V-3.1V9.电源电流:120-160mA10.工作温度:-20℃----80℃11.连接方式:电子线,电子元件脚...
2018 - 07 - 26
具体规格参数:1. 导光板显示类型:侧面进光正面显示2.导光板材质:PMMA(可由客户选择定制,PC,PS等透明材料)3.灯源:进光边为斜边设计,可用5050尺寸灯珠,双边进光4.显示模式:反射型5.光线波段:任意5050,3528等灯珠,光波由所使用灯珠确定6.均匀度:90%以上7.可视范围:162*52 MM8.电源电压:视所用灯珠而定9.电源电流:视所用灯珠而定10.工作温度:-2...
2018 - 07 - 26
具体规格参数:1. 导光板显示类型:侧面进光正面显示2.导光板材质:PMMA(可由客户选择定制,PC,PS等透明材料)3. 灯源:进光边设计,可用5050尺寸灯珠,双边进光4. 显示模式:反射型5  .光线波段:任意5050,3528等灯珠,RGB灯珠等,光波由所使用灯珠确定6.均匀度:90%以上7.可视范围:110*70 MM8.电源电压:视所用灯珠而定9...
2018 - 07 - 26
具体规格参数:1.背光源显示类型:侧面显示2.背光板材质:PS(可由客户选择定制,PC,PMMA等透明材料)3.灯源:4只高亮度LED灯4.显示模式:反射型5.光线波段:606-6086.均匀度:90%以上7.可视范围:111*64MM8.电源电压:1.7V-2.2V9.电源电流:60-80mA10.工作温度:-20℃----80℃11.连接方式:电子线,电子元件脚注:所有背光均可按客户要求做适合...
2018 - 08 - 09
具体规格参数:1.导光板显示类型:侧面进光正面显示2.导光板材质:PMMA(可由客户选择定制,PC,PS等透明材料)3.灯源:单边进光设计,可用0805,0603,邦定等尺寸灯珠4.显示模式:反射型5.光线波段:光波由所使用灯珠确定6.均匀度:90%以上7.可视范围:47*43 MM8.电源电压:视所用灯珠而定9.电源电流:视所用灯珠而定10.工作温度:-20℃----80℃11.连接方式:电子线...
Solutions 背光解决方案

LED芯片技术差异

日期: 2018-08-07
来源:
作者:
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众所周知,芯片是LED的核心部件。目前国内外有很多LED芯片厂家,但是芯片分类没有统一的标准。按照功率来划分,有大功率和中小功率;按照按颜色分类,则红色、绿色、蓝色这三种为主流;按照按形状分类,大致可分为方片、圆片两种;按照电压分类,则分为低压直流芯片和高压直流芯片。国内外芯片技术对比方面,国外芯片技术新,国内芯片重产量不重技术。
       衬底材料和晶圆生长技术成关键
       目前,LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底材料以外,氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当前LED芯片研究的焦点。目前,市面上大多采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业所垄断,而硅衬底的价格比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多,可制作出尺寸更大的衬底,提高MOCVD的利用率,从而提高管芯产率。所以,为突破国际专利壁垒,中国研究机构和LED         企业从硅衬底材料着手研究。
       但问题是,硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点,两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。
       无疑,从衬底角度看,主流衬底依然是蓝宝石和碳化硅,但硅已经成为芯片领域今后的发展趋势。对于价格战相对严重的中国来说,硅衬底更有成本和价格优势:硅衬底是导电衬底,不但可以减少管芯面积,还可以省去对氮化镓外延层的干法腐蚀步骤,加之,硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低,在加工方面也可以节省一些成本。
       目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主,如能采用硅基氮化镓技术,至少可节省75%的原料成本。据日本         三垦电气公司估计,使用硅衬底制作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。
       国内外芯片技术差异大
       在国外,欧司朗、美国普瑞、日本三垦等一流企业已经在大尺寸硅衬底氮化镓基LED研究上取得突破,飞利浦、韩国三星、LG、日本东芝等国际LED巨头也掀起了一股硅衬底上氮化镓基LED的研究热潮。其中,在2011年,美国普瑞在8英寸硅衬底上研发出高光效氮化镓基LED,取得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器件性能相媲美的发光效率160lm/W;在2012年,欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。
       反观中国内地,LED芯片企业技术的突破点主要还是提高产能和大尺寸蓝宝石晶体生长技术,除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外,中国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研究上无大的突破,目前中国内地LED芯片企业还是主攻产能、蓝宝石衬底材料及晶圆生长技术,三安光电、德豪润达、同方股份等内地芯片巨头也大多在产能上取得突破。


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